Deformed octagon-hexagon-square structure of group-IV and group-V elements and III-V compounds

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

High-pressure phases of group-IV, III–V, and II–VI compounds

Advances in the accuracy and efficiency of first-principles electronic structure calculations have allowed detailed studies of the energetics of materials under high pressures. At the same time, improvements in the resolution of powder x-ray diffraction experiments and more sophisticated methods of data analysis have revealed the existence of many new and unexpected high-pressure phases. The mo...

متن کامل

investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes

boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...

15 صفحه اول

faculty of psychology and social sciences group of anthropology master thesis in major of anthropology

چکیده پایان نامه (شامل خلاصه، اهداف، روش های اجرا و نتایج به دست آمده): کار جمع آوری گو یش های محلی در سال های اخیر شتاب امیدوار کننده ای به خود گرفته است. شاید از بارزترین اهداف جمع آوری گویش های مختلف، ثبت و ضبط آن، جلوگیری از نابودی و مهمتر از همه حل مشکلات دستوری زبان رسمی باشد. دقت در فرآیند های زبانی گویش های محلی نوع ارتباط مردم نواحی مختلف با پیرامون نشان را به ما نشان خواهد داد. از س...

Strategies to control morphology in hybrid group III-V/group IV heterostructure nanowires.

By combining in situ and ex situ transmission electron microscopy measurements, we examine the factors that control the morphology of "hybrid" nanowires that include group III-V and group IV materials. We focus on one materials pair, GaP/Si, for which we use a wide range of growth parameters. We show through video imaging that nanowire morphology depends on growth conditions, but that a general...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Physical Review B

سال: 2019

ISSN: 2469-9950,2469-9969

DOI: 10.1103/physrevb.100.125306